ST9000
精选 3D NAND 颗粒，无缓存 PCB 架构，支持 HMB 缓冲加速，最高 3500MB/s 连续读写，硬件 LDPC 纠错 + 全量健康监测，百万小时可靠寿命。
基础参数: |
最大读/写速度：3500/3000 MB/s | 尺寸：80mm × 22mm |
接口：PCIe Gen3 x4，NVMe 1.3 | 电压：3.3V |
工作温度：0°C~70°C | 存储温度：-40°C~+85°C |
| 容量：256GB/512GB/1TB/2TB | 质保：3年 |
| 规范：RoHS |
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扩展技术: |
1.支持HBM内存缓冲技术
| 2.支持TRIM,NCQ,S.M.A.R.T |
| 3.支持垃圾回收算法 | 4.支持动态坏块管理与磨损均衡 |
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